Makaleler
53
Tümü (53)
SCI-E, SSCI, AHCI (49)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (50)
ESCI (1)
Scopus (46)
Diğer Yayınlar (3)
13. Automation Software for Semiconductor Research Laboratories: Measurement System and Instrument Control Program (SeCLaS-IC)
MAPAN-JOURNAL OF METROLOGY SOCIETY OF INDIA
, cilt.35, sa.3, ss.343-350, 2020 (SCI-Expanded, Scopus)
14. Solution-processed nanostructured ZnO/CuO composite films and improvement its physical properties by lustrous transition metal silver doping
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.31, sa.17, ss.14400-14410, 2020 (SCI-Expanded, Scopus)
16. Investigation of the temperature-dependent electrical properties of Au/PEDOT:WO3/p-Si hybrid device
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.30, sa.17, ss.16676-16686, 2019 (SCI-Expanded, Scopus)
24. Electrical characterization and fabrication of organic/inorganic semiconductor heterojunctions
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
, cilt.103, sa.1, ss.89-96, 2011 (SCI-Expanded, Scopus)
27. Correlation between barrier heights and ideality factors of H-terminated Sn/p-Si (100) Schottky barrier diodes
MICROELECTRONIC ENGINEERING
, cilt.85, ss.721-726, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
44. Dependence of Thermal Annealing on the Density Distribution of Interface States In Ti/n-GaAs(Te) Schottky Diodes
Appl. Surf. Sci.
, cilt.152, ss.57-62, 1999 (SCI-Expanded)
46. On The Experimental Forward Capacitance-Voltage Characteristics of Schottky Barrier Diodes
International Journal for Manufacturing Science & Production
, cilt.2, ss.0-145, 1999 (SCI-Expanded)
49. EPR spectroscopy of Dog-Rose Polyphenoloxidase,
Tr. J. of Chemistry
, ss.188-194, 1997 (Hakemli Dergi)
50. Electron Spin Rezonance Studies ofn Cbalt Carbonic Anhydrase-Substrate Complexes.
Tr.J. of Chem
, ss.134-138, 1997 (Hakemli Dergi)
51. Series resistance calculation for the metal-insulator-semiconductor Schottky barrier diodes
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
, cilt.62, sa.3, ss.269-273, 1996 (SCI-Expanded, Scopus)
53. The ESR Spectroscopic Investigation of the Electrochemical Reduction of Benzyl Halides in Acetonitrile
Tr.J. of Chemistry
, ss.275-283, 1995 (Hakemli Dergi)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler
42
3. The Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si
2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD2018), Ardahan, Türkiye, 28 Ağustos 2018 - 30 Ocak 2019, ss.57, (Tam Metin Bildiri)
4. DÖNDÜRME KAPLAMA TEKNİĞİYLE ELDE EDİLEN CARMİNE İNCEFİLMİNLERİN OPTİK VE MORFOLOJİK ÖZELLİKLERİ
UMTEBIII. UluslararasıMesleki ve Teknik Bilimler Kongresi, Gaziantep, Türkiye, 21 - 22 Haziran 2018, cilt.1, ss.30-35, (Tam Metin Bildiri)
5. Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si
2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28 - 31 Ağustos 2018, (Özet Bildiri)
7. Interface State Density Distribution in Ni/GaN SBDs
3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciences, 9 - 12 Mayıs 2018
8. C V f Characteristics and Interface State Density Distribution of Ni Au Al0 09Ga0 091N Schottky Barrier Diodes
1st International Physics Conference at the Anatolian Peak,IPCAP2016, 25 - 27 Şubat 2016
10. Pirana çözeltisinin Au/n-GaAs Schottky diyotun elektriksel parametreleri üzerine etkisi
21. Yoğun Madde Fiziği, Ankara, Türkiye, 25 Aralık 2015, (Tam Metin Bildiri)
12. Electrical Characterization of Pd/Al0.20Ga0.80N Schottky Barrier Diodes
International Semiconductor Science and Technology Conference 2015, Aydın, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.83, (Tam Metin Bildiri)
13. Temperature Dependent Electrical Characteristics of Ti/n-GaAs Schottky Barrier Diodes
International Semiconductor Sience and Technology, Aydın, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.34, (Özet Bildiri)
14. Effect of Post Annealing on Electrical Chemical Properties of Ni Au GaN Al0 20Ga0 80N Schottky Contacts
International Semiconductor Scienceand Technology Conference 2015, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.50, (Özet Bildiri)
16. Dynamic Response of The Graphene Gas Sensors Towards CO, H2 And NH3 Gases At Different Temperatures
International Semiconductor Science and Technology Conference, Türkiye, 1 - 04 Aralık 2013, ss.35, (Tam Metin Bildiri)
17. ppt-level Dedection of CO, NH3 and H2 Gases
IMAGINENANO 2013, İspanya, 1 - 04 Mayıs 2013, ss.78-79, (Tam Metin Bildiri)
18. Mo Schottky Metalinin Yüzey Oksidasyonuna Bağlı Olarak Mo/GaAs Schottky Diyotlarının I-V Karakteristiklerindeki Değişimin İncelenmesi
29. International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 05 Eylül 2017 - 08 Eylül 2012, (Özet Bildiri)
19. Grafen sensörlerin karbonmonoksit ve hidrojen gazlarına tepkisi
29th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.100, (Tam Metin Bildiri)
20. Ni/ GaN Schottky kontakların karakteristik parametrelerinin akım-gerilim ölçümleriyle incelenmesi
29th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.113, (Tam Metin Bildiri)
21. Ni/AlGaN Schottky engel diyotlarının sıcaklığa bağlı akım-gerilim ölçümlerin değerlendirilmesi
29th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.94, (Tam Metin Bildiri)
22. C-V-T Ölçümleri için E4980A LCR Metrenin Programlanması ve Verilerin Değerlendirilmesi
29th International Physics Congress,, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.460, (Tam Metin Bildiri)
23. Mo Schottky metalinin yüzey oksidasyonuna bağlı olarak Mo Schottky metalinin yüzey oksidasyonuna bağlı olarak Mo/GaAs Schottky diyotlarının I-V karakteristiklerindeki değişimin incelenmesi
29th International Physics Congress,, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.484, (Tam Metin Bildiri)
24. Nanokompozitli Bazı Polimerlerin İletkenliklerinin Ölçülmesi ve Dielektrik Sabitlerinin Frekansla Değişiminin İncelenmesi
28th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2011, ss.98, (Tam Metin Bildiri)
25. Conductance Characteristics of Graphene Field Effect Transitor
28th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2011, ss.102, (Tam Metin Bildiri)
26. The determination of the interface state-density distribution of the Au/Carmine/n-GaAs metal-organic layer-semiconductor structures
UK Semiconductors 2011, Birleşik Krallık, 1 - 04 Temmuz 2011, ss.133, (Tam Metin Bildiri)
27. Electrical Characteristics of The Graphene Under Vacuum and Atmosphere
7Th Nanoscience and Nanotechnology Conference, Türkiye, 1 - 04 Temmuz 2011, ss.54, (Tam Metin Bildiri)
28. Electrical characterization of Au/Carmine/n-GaAs Schottky barrier diodes
MSM XVII Microscopy of Semiconducting Materials 2011, Birleşik Krallık, 1 - 04 Nisan 2011, ss.110, (Tam Metin Bildiri)
29. Schottky diyotlarda kapasite-gerilim (C-V) ve kapasite-frekans (C-f) ölçümleri için VEE PRO ile Ailent E4980 LCR metrenin programlanması
17th Condensate Material Physic Ankara Meeting, Ankara, Türkiye, 1 - 04 Kasım 2010, ss.85, (Tam Metin Bildiri)
30. SiOxNy arayüzey tabakalı p-Si Schottky engel diyotlarının admintans ölçümleriyle arayüzey hal yoğunluk dağılımlarının belirlenmesi
17th Condensate Material Physic Ankara Meeting, Ankara, Türkiye, 1 - 04 Kasım 2010, ss.6, (Tam Metin Bildiri)
31. Schottky diyot parametreleri üzerine engel yükseklik dağılımının etkisi
27th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2010, ss.74, (Tam Metin Bildiri)
32. Arayüzey tabakası ile metal/Si Schottky diyotkarın engel yüksekliği ve idealite modifikasyonu
27th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2010, ss.68, (Tam Metin Bildiri)
33. Schottky engel diyotlarda kapasite-gerilim (C-V), kapasite-frekans (C-f) ölçümleri ve temel hesaplar için Vee Pro Agilent E4980 LCR metre yazılımı (SECLAS),
27th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2010, ss.72, (Tam Metin Bildiri)
34. Au/PANITiO2 nanokompozitli PANI heteroeklemlerin elektriksel karakterizasyonu
25th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 2008, ss.76, (Tam Metin Bildiri)
35. Plazma nitrürlemeyle hazırlanan arayüzey tabakalı Sn/p-Si Schottky Engel Diyotlar
24th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 2007, ss.85, (Tam Metin Bildiri)
36. Au ve Al/n-Inp Schottky kontaklarda arayüzey oksit tabakası ile engel yüksekliğinin artırılması ve kontakların kararlılığı
Geleneksel Erzurum Fizik Günleri-II, Erzurum, Türkiye, 1 - 04 Mayıs 2005, ss.115, (Tam Metin Bildiri)
37. Schottky Contacts to InP
7th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies, Fransa, 1 - 04 Haziran 2004, ss.6, (Tam Metin Bildiri)
38. Au/n-Si Schottky Diyodların Kapasite-Frekans Karakteristiklerinden Arayüzey Hal Dağılım Eğrilerinin Belirlenmesi
YMF 2000, TFD II. Ulusal Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Erzurum, Türkiye, 1 - 04 Haziran 2002, ss.1-13, (Tam Metin Bildiri)
39. Au/n-Si Metal-Yarıiletken Kontaklarında Arayüzey Hallerinin Dağılım Eğrilerinin ve Bazı Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi
TFD-18 Ulusal Fizik Kongresi, Adana, Türkiye, 1 - 04 Ekim 1999, ss.379, (Tam Metin Bildiri)
40. Effects of Anodization Parameters on the Thermal Annealed pSi MOS Structure
BPU-3 3rd General Conference of The Balkan Physical Union, Romanya, 1 - 04 Eylül 1997, ss.215, (Tam Metin Bildiri)
41. Epitaksiyel olarak büyütülmüş n-Si ile yapılan Au/n-Si Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
TFD-16, Türk Fizik Derneği, Balıkesir, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 1996, ss.93, (Tam Metin Bildiri)
42. Katodik Dehalojenasyon ve ESR Spektroskopik İncelemeler,
VIII. Kimya ve Kimya Mühendisliği Sempozyumu, İstanbul, Türkiye, 1 - 04 Ocak 1992, ss.141-145, (Tam Metin Bildiri)