Makaleler
54
Tümü (54)
SCI-E, SSCI, AHCI (50)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (51)
ESCI (1)
Scopus (47)
Diğer Yayınlar (3)
14. Automation Software for Semiconductor Research Laboratories: Measurement System and Instrument Control Program (SeCLaS-IC)
MAPAN-JOURNAL OF METROLOGY SOCIETY OF INDIA
, cilt.35, sa.3, ss.343-350, 2020 (SCI-Expanded, Scopus)
15. Solution-processed nanostructured ZnO/CuO composite films and improvement its physical properties by lustrous transition metal silver doping
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.31, sa.17, ss.14400-14410, 2020 (SCI-Expanded, Scopus)
17. Investigation of the temperature-dependent electrical properties of Au/PEDOT:WO3/p-Si hybrid device
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
, cilt.30, sa.17, ss.16676-16686, 2019 (SCI-Expanded, Scopus)
25. Electrical characterization and fabrication of organic/inorganic semiconductor heterojunctions
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
, cilt.103, sa.1, ss.89-96, 2011 (SCI-Expanded, Scopus)
28. Correlation between barrier heights and ideality factors of H-terminated Sn/p-Si (100) Schottky barrier diodes
MICROELECTRONIC ENGINEERING
, cilt.85, ss.721-726, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)
45. Dependence of Thermal Annealing on the Density Distribution of Interface States In Ti/n-GaAs(Te) Schottky Diodes
Appl. Surf. Sci.
, cilt.152, ss.57-62, 1999 (SCI-Expanded)
46. On The Experimental Forward Capacitance-Voltage Characteristics of Schottky Barrier Diodes
International Journal for Manufacturing Science & Production
, cilt.2, ss.0-145, 1999 (SCI-Expanded)
50. Electron Spin Rezonance Studies ofn Cbalt Carbonic Anhydrase-Substrate Complexes.
Tr.J. of Chem
, ss.134-138, 1997 (Hakemli Dergi)
51. EPR spectroscopy of Dog-Rose Polyphenoloxidase,
Tr. J. of Chemistry
, ss.188-194, 1997 (Hakemli Dergi)
52. Series resistance calculation for the metal-insulator-semiconductor Schottky barrier diodes
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
, cilt.62, sa.3, ss.269-273, 1996 (SCI-Expanded, Scopus)
54. The ESR Spectroscopic Investigation of the Electrochemical Reduction of Benzyl Halides in Acetonitrile
Tr.J. of Chemistry
, ss.275-283, 1995 (Hakemli Dergi)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler
43
4. The Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si
2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD2018), Ardahan, Türkiye, 28 Ağustos 2018 - 30 Ocak 2019, ss.57, (Tam Metin Bildiri)
5. DÖNDÜRME KAPLAMA TEKNİĞİYLE ELDE EDİLEN CARMİNE İNCEFİLMİNLERİN OPTİK VE MORFOLOJİK ÖZELLİKLERİ
UMTEBIII. UluslararasıMesleki ve Teknik Bilimler Kongresi, Gaziantep, Türkiye, 21 - 22 Haziran 2018, cilt.1, ss.30-35, (Tam Metin Bildiri)
6. Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si
2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28 - 31 Ağustos 2018, (Özet Bildiri)
7. Interface State Density Distribution in Ni/GaN SBDs
3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciences, 9 - 12 Mayıs 2018
9. C V f Characteristics and Interface State Density Distribution of Ni Au Al0 09Ga0 091N Schottky Barrier Diodes
1st International Physics Conference at the Anatolian Peak,IPCAP2016, 25 - 27 Şubat 2016
11. Pirana çözeltisinin Au/n-GaAs Schottky diyotun elektriksel parametreleri üzerine etkisi
21. Yoğun Madde Fiziği, Ankara, Türkiye, 25 Aralık 2015, (Tam Metin Bildiri)
12. Temperature Dependent Electrical Characteristics of Ti/n-GaAs Schottky Barrier Diodes
International Semiconductor Sience and Technology, Aydın, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.34, (Özet Bildiri)
14. Electrical Characterization of Pd/Al0.20Ga0.80N Schottky Barrier Diodes
International Semiconductor Science and Technology Conference 2015, Aydın, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.83, (Tam Metin Bildiri)
15. Effect of Post Annealing on Electrical Chemical Properties of Ni Au GaN Al0 20Ga0 80N Schottky Contacts
International Semiconductor Scienceand Technology Conference 2015, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.50, (Özet Bildiri)
17. Dynamic Response of The Graphene Gas Sensors Towards CO, H2 And NH3 Gases At Different Temperatures
International Semiconductor Science and Technology Conference, Türkiye, 1 - 04 Aralık 2013, ss.35, (Tam Metin Bildiri)
18. ppt-level Dedection of CO, NH3 and H2 Gases
IMAGINENANO 2013, İspanya, 1 - 04 Mayıs 2013, ss.78-79, (Tam Metin Bildiri)
19. Mo Schottky Metalinin Yüzey Oksidasyonuna Bağlı Olarak Mo/GaAs Schottky Diyotlarının I-V Karakteristiklerindeki Değişimin İncelenmesi
29. International Physics Congress, Muğla, Türkiye, 05 Eylül 2017 - 08 Eylül 2012, (Özet Bildiri)
20. C-V-T Ölçümleri için E4980A LCR Metrenin Programlanması ve Verilerin Değerlendirilmesi
29th International Physics Congress,, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.460, (Tam Metin Bildiri)
21. Ni/ GaN Schottky kontakların karakteristik parametrelerinin akım-gerilim ölçümleriyle incelenmesi
29th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.113, (Tam Metin Bildiri)
22. Grafen sensörlerin karbonmonoksit ve hidrojen gazlarına tepkisi
29th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.100, (Tam Metin Bildiri)
23. Ni/AlGaN Schottky engel diyotlarının sıcaklığa bağlı akım-gerilim ölçümlerin değerlendirilmesi
29th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.94, (Tam Metin Bildiri)
24. Mo Schottky metalinin yüzey oksidasyonuna bağlı olarak Mo Schottky metalinin yüzey oksidasyonuna bağlı olarak Mo/GaAs Schottky diyotlarının I-V karakteristiklerindeki değişimin incelenmesi
29th International Physics Congress,, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.484, (Tam Metin Bildiri)
25. Nanokompozitli Bazı Polimerlerin İletkenliklerinin Ölçülmesi ve Dielektrik Sabitlerinin Frekansla Değişiminin İncelenmesi
28th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2011, ss.98, (Tam Metin Bildiri)
26. Conductance Characteristics of Graphene Field Effect Transitor
28th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2011, ss.102, (Tam Metin Bildiri)
27. The determination of the interface state-density distribution of the Au/Carmine/n-GaAs metal-organic layer-semiconductor structures
UK Semiconductors 2011, Birleşik Krallık, 1 - 04 Temmuz 2011, ss.133, (Tam Metin Bildiri)
28. Electrical Characteristics of The Graphene Under Vacuum and Atmosphere
7Th Nanoscience and Nanotechnology Conference, Türkiye, 1 - 04 Temmuz 2011, ss.54, (Tam Metin Bildiri)
29. Electrical characterization of Au/Carmine/n-GaAs Schottky barrier diodes
MSM XVII Microscopy of Semiconducting Materials 2011, Birleşik Krallık, 1 - 04 Nisan 2011, ss.110, (Tam Metin Bildiri)
30. Schottky diyotlarda kapasite-gerilim (C-V) ve kapasite-frekans (C-f) ölçümleri için VEE PRO ile Ailent E4980 LCR metrenin programlanması
17th Condensate Material Physic Ankara Meeting, Ankara, Türkiye, 1 - 04 Kasım 2010, ss.85, (Tam Metin Bildiri)
31. SiOxNy arayüzey tabakalı p-Si Schottky engel diyotlarının admintans ölçümleriyle arayüzey hal yoğunluk dağılımlarının belirlenmesi
17th Condensate Material Physic Ankara Meeting, Ankara, Türkiye, 1 - 04 Kasım 2010, ss.6, (Tam Metin Bildiri)
32. Arayüzey tabakası ile metal/Si Schottky diyotkarın engel yüksekliği ve idealite modifikasyonu
27th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2010, ss.68, (Tam Metin Bildiri)
33. Schottky diyot parametreleri üzerine engel yükseklik dağılımının etkisi
27th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2010, ss.74, (Tam Metin Bildiri)
34. Schottky engel diyotlarda kapasite-gerilim (C-V), kapasite-frekans (C-f) ölçümleri ve temel hesaplar için Vee Pro Agilent E4980 LCR metre yazılımı (SECLAS),
27th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2010, ss.72, (Tam Metin Bildiri)
35. Au/PANITiO2 nanokompozitli PANI heteroeklemlerin elektriksel karakterizasyonu
25th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 2008, ss.76, (Tam Metin Bildiri)
36. Plazma nitrürlemeyle hazırlanan arayüzey tabakalı Sn/p-Si Schottky Engel Diyotlar
24th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 2007, ss.85, (Tam Metin Bildiri)
37. Au ve Al/n-Inp Schottky kontaklarda arayüzey oksit tabakası ile engel yüksekliğinin artırılması ve kontakların kararlılığı
Geleneksel Erzurum Fizik Günleri-II, Erzurum, Türkiye, 1 - 04 Mayıs 2005, ss.115, (Tam Metin Bildiri)
38. Schottky Contacts to InP
7th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies, Fransa, 1 - 04 Haziran 2004, ss.6, (Tam Metin Bildiri)
39. Au/n-Si Schottky Diyodların Kapasite-Frekans Karakteristiklerinden Arayüzey Hal Dağılım Eğrilerinin Belirlenmesi
YMF 2000, TFD II. Ulusal Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Erzurum, Türkiye, 1 - 04 Haziran 2002, ss.1-13, (Tam Metin Bildiri)
40. Au/n-Si Metal-Yarıiletken Kontaklarında Arayüzey Hallerinin Dağılım Eğrilerinin ve Bazı Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi
TFD-18 Ulusal Fizik Kongresi, Adana, Türkiye, 1 - 04 Ekim 1999, ss.379, (Tam Metin Bildiri)
41. Effects of Anodization Parameters on the Thermal Annealed pSi MOS Structure
BPU-3 3rd General Conference of The Balkan Physical Union, Romanya, 1 - 04 Eylül 1997, ss.215, (Tam Metin Bildiri)
42. Epitaksiyel olarak büyütülmüş n-Si ile yapılan Au/n-Si Schottky diyotların karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
TFD-16, Türk Fizik Derneği, Balıkesir, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 1996, ss.93, (Tam Metin Bildiri)
43. Katodik Dehalojenasyon ve ESR Spektroskopik İncelemeler,
VIII. Kimya ve Kimya Mühendisliği Sempozyumu, İstanbul, Türkiye, 1 - 04 Ocak 1992, ss.141-145, (Tam Metin Bildiri)