Yayınlar & Eserler

Makaleler 54
Tümü (54)
SCI-E, SSCI, AHCI (50)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (51)
ESCI (1)
Scopus (47)
Diğer Yayınlar (3)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler 43

1. GENİŞ BİR ÖLÇÜM SICAKLIK ARALIĞINDA Au/Ni/n-AlGaN SCHOTTKYDİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ

1st INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON RECENT ADVANCES IN FUNDAMENTAL AND APPLIED SCIENCES (ISFAS-2021), Erzurum, Türkiye, 10 - 12 Eylül 2021, ss.420-427, (Tam Metin Bildiri) Creative Commons License

2. Depth profile study on Ti/Al bilayer Ohmic contacts to AlGaN/GaN

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD), Ardahan, Türkiye, 28 - 30 Ağustos 2018, cilt.46, ss.6939-6946, (Tam Metin Bildiri)

3. GRAPHENE FIELD EFFECT SENSOR FOR DETECTION OF ESCHERICHIA COLI K-12 STRAIN

2. INTERNATIONAL TURKISH WORLD ENGINEERING AND SCIENCE CONGRESS, Antalya, Türkiye, 7 - 10 Kasım 2019, (Özet Bildiri)

4. The Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD2018), Ardahan, Türkiye, 28 Ağustos 2018 - 30 Ocak 2019, ss.57, (Tam Metin Bildiri)

5. DÖNDÜRME KAPLAMA TEKNİĞİYLE ELDE EDİLEN CARMİNE İNCEFİLMİNLERİN OPTİK VE MORFOLOJİK ÖZELLİKLERİ

UMTEBIII. UluslararasıMesleki ve Teknik Bilimler Kongresi, Gaziantep, Türkiye, 21 - 22 Haziran 2018, cilt.1, ss.30-35, (Tam Metin Bildiri)

6. Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28 - 31 Ağustos 2018, (Özet Bildiri)

7. Interface State Density Distribution in Ni/GaN SBDs

3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciences, 9 - 12 Mayıs 2018

8. On the electrical characterization of Au/WO3:PEDOT/p-Si hybrid device

3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciencesd, Antalya, Türkiye, 9 - 12 Mayıs 2018, ss.102, (Özet Bildiri)

10. Effects of Post Annealing on I V T Characteristics of Ni Au Al0 09Ga0 91N Schottky Barrier Diodes

1st International Physics Conference at the Anatolian Peak, IPCAP 2016, Erzurum, Türkiye, 25 - 27 Şubat 2016

12. Temperature Dependent Electrical Characteristics of Ti/n-GaAs Schottky Barrier Diodes

International Semiconductor Sience and Technology, Aydın, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.34, (Özet Bildiri)

13. Effect of post annealing on electrical properties of (Ni/Au)/Al0.20Ga0.80N Schottky contacts

International Semiconductor Science and Technology Conference (ISSTC), Kusadasi, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, cilt.3, ss.1248-1254, (Tam Metin Bildiri)

14. Electrical Characterization of Pd/Al0.20Ga0.80N Schottky Barrier Diodes

International Semiconductor Science and Technology Conference 2015, Aydın, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.83, (Tam Metin Bildiri)

15. Effect of Post Annealing on Electrical Chemical Properties of Ni Au GaN Al0 20Ga0 80N Schottky Contacts

International Semiconductor Scienceand Technology Conference 2015, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.50, (Özet Bildiri)

16. Effects of Thermal Annealing on Ni/Au Based Schottky Contacts on n-GaN

International Semiconductor Science and Technology Conference, Türkiye, 1 - 04 Aralık 2013, ss.19, (Tam Metin Bildiri)

17. Dynamic Response of The Graphene Gas Sensors Towards CO, H2 And NH3 Gases At Different Temperatures

International Semiconductor Science and Technology Conference, Türkiye, 1 - 04 Aralık 2013, ss.35, (Tam Metin Bildiri)

18. ppt-level Dedection of CO, NH3 and H2 Gases

IMAGINENANO 2013, İspanya, 1 - 04 Mayıs 2013, ss.78-79, (Tam Metin Bildiri)

20. C-V-T Ölçümleri için E4980A LCR Metrenin Programlanması ve Verilerin Değerlendirilmesi

29th International Physics Congress,, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.460, (Tam Metin Bildiri)

22. Grafen sensörlerin karbonmonoksit ve hidrojen gazlarına tepkisi

29th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.100, (Tam Metin Bildiri)

26. Conductance Characteristics of Graphene Field Effect Transitor

28th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2011, ss.102, (Tam Metin Bildiri)

28. Electrical Characteristics of The Graphene Under Vacuum and Atmosphere

7Th Nanoscience and Nanotechnology Conference, Türkiye, 1 - 04 Temmuz 2011, ss.54, (Tam Metin Bildiri)

29. Electrical characterization of Au/Carmine/n-GaAs Schottky barrier diodes

MSM XVII Microscopy of Semiconducting Materials 2011, Birleşik Krallık, 1 - 04 Nisan 2011, ss.110, (Tam Metin Bildiri)

33. Schottky diyot parametreleri üzerine engel yükseklik dağılımının etkisi

27th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2010, ss.74, (Tam Metin Bildiri) Sürdürülebilir Kalkınma

35. Au/PANITiO2 nanokompozitli PANI heteroeklemlerin elektriksel karakterizasyonu

25th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 2008, ss.76, (Tam Metin Bildiri)

36. Plazma nitrürlemeyle hazırlanan arayüzey tabakalı Sn/p-Si Schottky Engel Diyotlar

24th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 2007, ss.85, (Tam Metin Bildiri)

38. Schottky Contacts to InP

7th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies, Fransa, 1 - 04 Haziran 2004, ss.6, (Tam Metin Bildiri)

39. Au/n-Si Schottky Diyodların Kapasite-Frekans Karakteristiklerinden Arayüzey Hal Dağılım Eğrilerinin Belirlenmesi

YMF 2000, TFD II. Ulusal Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Erzurum, Türkiye, 1 - 04 Haziran 2002, ss.1-13, (Tam Metin Bildiri) Sürdürülebilir Kalkınma

41. Effects of Anodization Parameters on the Thermal Annealed pSi MOS Structure

BPU-3 3rd General Conference of The Balkan Physical Union, Romanya, 1 - 04 Eylül 1997, ss.215, (Tam Metin Bildiri)

43. Katodik Dehalojenasyon ve ESR Spektroskopik İncelemeler,

VIII. Kimya ve Kimya Mühendisliği Sempozyumu, İstanbul, Türkiye, 1 - 04 Ocak 1992, ss.141-145, (Tam Metin Bildiri)
Metrikler

Yayın

101

Yayın (WoS)

54

Yayın (Scopus)

49

Atıf (WoS)

970

H-İndeks (WoS)

18

Atıf (Scopus)

331

H-İndeks (Scopus)

11

Atıf (Scholar)

15

H-İndeks (Scholar)

3

Proje

23

Tez Danışmanlığı

20

Açık Erişim

14
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları