Yayınlar & Eserler

Makaleler 53
Tümü (53)
SCI-E, SSCI, AHCI (49)
SCI-E, SSCI, AHCI, ESCI (50)
ESCI (1)
Scopus (46)
Diğer Yayınlar (3)
Hakemli Bilimsel Toplantılarda Yayımlanmış Bildiriler 42

1. GENİŞ BİR ÖLÇÜM SICAKLIK ARALIĞINDA Au/Ni/n-AlGaN SCHOTTKYDİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ

1st INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON RECENT ADVANCES IN FUNDAMENTAL AND APPLIED SCIENCES (ISFAS-2021), Erzurum, Türkiye, 10 - 12 Eylül 2021, ss.420-427, (Tam Metin Bildiri) Creative Commons License

2. Depth profile study on Ti/Al bilayer Ohmic contacts to AlGaN/GaN

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD), Ardahan, Türkiye, 28 - 30 Ağustos 2018, cilt.46, ss.6939-6946, (Tam Metin Bildiri) identifier identifier

3. The Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD2018), Ardahan, Türkiye, 28 Ağustos 2018 - 30 Ocak 2019, ss.57, (Tam Metin Bildiri)

4. DÖNDÜRME KAPLAMA TEKNİĞİYLE ELDE EDİLEN CARMİNE İNCEFİLMİNLERİN OPTİK VE MORFOLOJİK ÖZELLİKLERİ

UMTEBIII. UluslararasıMesleki ve Teknik Bilimler Kongresi, Gaziantep, Türkiye, 21 - 22 Haziran 2018, cilt.1, ss.30-35, (Tam Metin Bildiri)

5. Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28 - 31 Ağustos 2018, (Özet Bildiri)

6. On the electrical characterization of Au/WO3:PEDOT/p-Si hybrid device

3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciencesd, Antalya, Türkiye, 9 - 12 Mayıs 2018, ss.102, (Özet Bildiri)

7. Interface State Density Distribution in Ni/GaN SBDs

3rd International Conference on Advance in Natural and Applied Sciences, 9 - 12 Mayıs 2018

9. Effects of Post Annealing on I V T Characteristics of Ni Au Al0 09Ga0 91N Schottky Barrier Diodes

1st International Physics Conference at the Anatolian Peak, IPCAP 2016, Erzurum, Türkiye, 25 - 27 Şubat 2016

11. Effect of post annealing on electrical properties of (Ni/Au)/Al0.20Ga0.80N Schottky contacts

International Semiconductor Science and Technology Conference (ISSTC), Kusadasi, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, cilt.3, ss.1248-1254, (Tam Metin Bildiri) identifier

12. Electrical Characterization of Pd/Al0.20Ga0.80N Schottky Barrier Diodes

International Semiconductor Science and Technology Conference 2015, Aydın, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.83, (Tam Metin Bildiri)

13. Temperature Dependent Electrical Characteristics of Ti/n-GaAs Schottky Barrier Diodes

International Semiconductor Sience and Technology, Aydın, Türkiye, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.34, (Özet Bildiri)

14. Effect of Post Annealing on Electrical Chemical Properties of Ni Au GaN Al0 20Ga0 80N Schottky Contacts

International Semiconductor Scienceand Technology Conference 2015, 11 - 13 Mayıs 2015, ss.50, (Özet Bildiri)

15. Effects of Thermal Annealing on Ni/Au Based Schottky Contacts on n-GaN

International Semiconductor Science and Technology Conference, Türkiye, 1 - 04 Aralık 2013, ss.19, (Tam Metin Bildiri)

16. Dynamic Response of The Graphene Gas Sensors Towards CO, H2 And NH3 Gases At Different Temperatures

International Semiconductor Science and Technology Conference, Türkiye, 1 - 04 Aralık 2013, ss.35, (Tam Metin Bildiri)

17. ppt-level Dedection of CO, NH3 and H2 Gases

IMAGINENANO 2013, İspanya, 1 - 04 Mayıs 2013, ss.78-79, (Tam Metin Bildiri)

19. Grafen sensörlerin karbonmonoksit ve hidrojen gazlarına tepkisi

29th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.100, (Tam Metin Bildiri)

22. C-V-T Ölçümleri için E4980A LCR Metrenin Programlanması ve Verilerin Değerlendirilmesi

29th International Physics Congress,, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2012, ss.460, (Tam Metin Bildiri)

25. Conductance Characteristics of Graphene Field Effect Transitor

28th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2011, ss.102, (Tam Metin Bildiri)

27. Electrical Characteristics of The Graphene Under Vacuum and Atmosphere

7Th Nanoscience and Nanotechnology Conference, Türkiye, 1 - 04 Temmuz 2011, ss.54, (Tam Metin Bildiri)

28. Electrical characterization of Au/Carmine/n-GaAs Schottky barrier diodes

MSM XVII Microscopy of Semiconducting Materials 2011, Birleşik Krallık, 1 - 04 Nisan 2011, ss.110, (Tam Metin Bildiri)

31. Schottky diyot parametreleri üzerine engel yükseklik dağılımının etkisi

27th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Eylül 2010, ss.74, (Tam Metin Bildiri) Sürdürülebilir Kalkınma

34. Au/PANITiO2 nanokompozitli PANI heteroeklemlerin elektriksel karakterizasyonu

25th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 2008, ss.76, (Tam Metin Bildiri)

35. Plazma nitrürlemeyle hazırlanan arayüzey tabakalı Sn/p-Si Schottky Engel Diyotlar

24th International Physics Congress, Türkiye, 1 - 04 Ağustos 2007, ss.85, (Tam Metin Bildiri)

37. Schottky Contacts to InP

7th Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies, Fransa, 1 - 04 Haziran 2004, ss.6, (Tam Metin Bildiri)

38. Au/n-Si Schottky Diyodların Kapasite-Frekans Karakteristiklerinden Arayüzey Hal Dağılım Eğrilerinin Belirlenmesi

YMF 2000, TFD II. Ulusal Yoğun Madde Fiziği Kongresi, Erzurum, Türkiye, 1 - 04 Haziran 2002, ss.1-13, (Tam Metin Bildiri) Sürdürülebilir Kalkınma

40. Effects of Anodization Parameters on the Thermal Annealed pSi MOS Structure

BPU-3 3rd General Conference of The Balkan Physical Union, Romanya, 1 - 04 Eylül 1997, ss.215, (Tam Metin Bildiri)

42. Katodik Dehalojenasyon ve ESR Spektroskopik İncelemeler,

VIII. Kimya ve Kimya Mühendisliği Sempozyumu, İstanbul, Türkiye, 1 - 04 Ocak 1992, ss.141-145, (Tam Metin Bildiri)
Metrikler

Yayın

98

Yayın (WoS)

52

Yayın (Scopus)

47

Atıf (WoS)

887

H-İndeks (WoS)

18

Atıf (Scopus)

287

H-İndeks (Scopus)

10

Atıf (Scholar)

15

H-İndeks (Scholar)

3

Proje

23

Tez Danışmanlığı

14

Açık Erişim

2
BM Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları