The Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si

AYYILDIZ E., AKKAYA A., GÜNERİ E., SOYLU M. Ç., ÇETİN H.

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD2018), Ardahan, Türkiye, 28 Ağustos 2018 - 30 Ocak 2019, ss.57

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Ardahan
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.57
  • Erciyes Üniversitesi Adresli: Evet