Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si
2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28 - 31 Ağustos 2018, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Ardahan
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Erciyes Üniversitesi Adresli: Evet