Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si

AKKAYA A., GÜNERİ E., SOYLU M. Ç., ÇETİN H., AYYILDIZ E.

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28 - 31 Ağustos 2018, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Basıldığı Şehir: Ardahan
• Basıldığı Ülke: Türkiye
• Erciyes Üniversitesi Adresli: Evet