CoolMOS Güç Transistörlerinin Elektromanyetik Girişim Başarımının Deneysel ve Benzetimle Karşılaştırmalı Analizi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Erciyes Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2004
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Gökçen Çetinel
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Ömer Galip SARAÇOĞLU
Özet:Ill COOLMOS GUÇ TRANSISTÖRLERININ ELEKTROMANYETİK GİRİŞİM BAŞARIMININ DENEYSEL VE BENZETİMLE KARŞILAŞTIRMALI ANALİZİ ÖZET Bu tezde yeni nesil güç transistörl erinden CoolMOS'un elektromanyetik girişime karşı alınganlığı deneysel olarak ve benzetimle incelenmiştir. Tezin amacı, son dönemlerde birçok avantajlarından dolayı tercih edilen CoolMOS güç transistörlerinin bütün elektronik devrelerde ve cihazlarda dikkate alınması gereken elektromanyetik girişime karşı ne kadar alıngan olduğunu incelemektir. Ayrıca bu çalışmada CoolMOS güç transistörlerinin avantaj ve dezavantajları ortaya konulmuş ve şimdiye kadar birçok elektronik devrede yaygın olarak kullanılan diğer transistörler ile ( BJT, geleneksel güç MOSFET'i, IGBT) genel bir karşılaştırma yapılmıştır. Benzetim çalışmaları için PSPICE kullanılmıştır. Bu program vasıtasıyla iletilen emisyonların frekans sahası olan 450KHz-30MHz aralığında altı ayrı frekanslı elektromanyetik girişim işareti CoolMOS güç transistorunun kapı ucundan uygulanmıştır. Elde edilen benzetim sonuçları aynı model kullanılarak elde edilen deney sonuçları ile karşılaştırılmıştır. Deneylerde CoolMOS'un birinci nesil güç transistörlerinden SPP04N60S5, üçüncü nesil transistörlerinden SPP04N60C3 ve geleneksel bir güç MOSFET'i kullanılmıştır. Sonuç olarak, CoolMOS transistörlerinin özellikle üçüncü nesil transistörlerin elektromanyetik girişimden birinci nesil bir CoolMOS transistörüne ve geleneksel bir güç MOSFET'ine göre daha az etkilendiği görülmüştür. Bu sonuçlar farklı akıtıcı voltajları ve farklı girişim işareti frekansları için ayrıntılı olarak açıklanmıştır. Ayrıca benzetim sonuçları ile deneysel sonuçlar arasında bir uyum olduğu gözlenmiştir. Anahtar sözcükler: CoolMOS, Elektromanyetik Girişim, PSPICE