Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Erciyes Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2000
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Enise Baydemir
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Mehmet ARI
Özet:V ÖZET Bu çalışmada, AlGaAs / GaAs çoklu bileşiği ile üretilmiş olan MODFET (Modulation Doped Field Effect Transistor ) transistorun kanalında oluşan 2-DEG (2-Dimensional Electron Gas) 'deki elektronların sıcaklıkları, kanaldaki güç kaybı kullanılarak hesaplandı. 2-DEG kanalındaki güç kaybı hesaplanırken, öncelikle MODFET kanalında etkili olan mekanizmalar incelendi. Çalışma yaptığımız sıcaklık aralığında, 1 °K < T < 40 °K piezoelekrik çiftlenim, perdeleme etkisi ve diğer mekanizmaların etkisinin az olduğu varsayılarak, güç kaybının esas nedeninin, deformasyon potansiyelinden kaynaklanan akustik fonon yayımı olduğu varsayıldı. Güç kaybı hesaplanırken öncelikle kontak dirençler tespit edildi. Bunun için, Delagebeaudeuf ve Linh'in geliştirmiş olduğu yöntem kullanıldı. Kontak direnç 93±3Q olarak bulundu. Toplam harcanan güçten, kontaklarda kaybolan güç çıkartılarak mutlak güç kaybı deneysel olarak hesaplandı. Deneysel olarak hesaplanan bu değer, Daniels ve arkadaşları tarafından verilen teorik değerde kullanılarak elektron sıcaklıkları hesaplandı. Bu hesaplar farklı iki numune için yapıldı. Daha sonra iki numune için, elektron sıcaklığının güç kaybma karşı grafikleri çizildi. Akustik fonon yayımından, optik fonon yayımına doğru bir geçiş, olduğu grafiklerde gözlendi. Sonuç olarak elde edilen sonuçlar, başka araştırmacıların elde ettikleri sonuçlarla karşılaştırıldı. Kullanılan yöntemlerin farklı olmasına rağmen uyum içinde olduğu gözlendi.